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1、较强的正向浪涌承受能力是30A;最大正向平均整流电流是1.0A;最大反向峰值电流是30uA;典型热阻是65℃/W;极限参数为VRM≥50V;最大反向漏电流是5uA;正向压降是1.0V;典型结电容是15pF;最高反向耐压是1000V;工作温度是-50℃~+150℃。
2、扩展资料晶体二极管由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。
(资料图片仅供参考)
3、在其界面的两侧形成空间电荷层,构成自建电场。
4、根据其不同用途,可分为检波二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、硅功率开关二极管、旋转二极管等。
5、2、当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。
6、在金属和半导体的接触面上,用已形成的肖特基来阻挡反向电压。
7、肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。
8、其耐压程度只有40V左右。
9、因此,能制作开关二极管和低压大电流整流二极管。
10、3、发光二极管广泛应用于各种电子产品的指示灯、光纤通信用光源、各种仪表的指示器以及照明。
11、发光二极管的主要特点:安全、高效率、环保、寿命长、响应快、体积小、结构牢固。
12、参考资料来源:百度百科-1N4007参考资料来源:百度百科-二极管1N4007:整流二极管正向浪涌承受能力:30A最大正向平均整流电流:1.0A极限参数为VRM≥50V最高反向耐压:1000V最大反向漏电流:5uA最大正向压降:1.0V最大反向峰值电流:30uA典型热阻:65℃/W典型结电容:15pF[1] 工作温度:-50℃~+150℃ 1N4007 是封装形式为 DO-15 的塑料封装型通用硅材料整流二极管。
13、广泛应用于各种交流变直流的整流电路中.常用的IN4001-4007型锗二极管的额定正向工作电流为1A,IN4007反向耐压为1000V4007型锗二极管的额定正向工作电流为1A,4007反向耐压为1000V。
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